型号 VND5E050MKTR-E
厂商 STMicroelectronics
描述 IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO24
VND5E050MKTR-E PDF
代理商 VND5E050MKTR-E
其它有关文件 VND5E050MK-E View All Specifications
标准包装 1,000
系列 VIPower™
类型 高端
输入类型 非反相
输出数 2
导通状态电阻 50 毫欧
电流 - 输出 / 通道 19A
电流 - 峰值输出 27A
电源电压 4.5 V ~ 28 V
工作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 24-BSOP(0.295",7.50mm 宽)裸露焊盘
供应商设备封装 PowerSSO-24
包装 带卷 (TR)
其它名称 497-11703-2
VND5E050MKTR-E-ND
同类型PDF
VND5E160AJ-E STMicroelectronics IC SW M0-5 2CH 10A ANLG PWRSSO12
VND5E160AJTR-E STMicroelectronics IC SW M0-5 2CH 10A ANLG PWRSSO12
VND5E160AJTR-E STMicroelectronics IC SW M0-5 2CH 10A ANLG PWRSSO12
VND5E160AJTR-E STMicroelectronics IC SW M0-5 2CH 10A ANLG PWRSSO12
VND5E160ASOTR-E STMicroelectronics IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16SOIC
VND5E160J-E STMicroelectronics IC SW M0-5 2CH 10A DGTL PWRSSO12
VND5E160JTR-E STMicroelectronics IC SW M0-5 2CH 10A DGTL PWRSSO12
VND5E160JTR-E STMicroelectronics IC SW M0-5 2CH 10A DGTL PWRSSO12
VND5E160JTR-E STMicroelectronics IC SW M0-5 2CH 10A DGTL PWRSSO12
VND5E160MJ-E STMicroelectronics IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO12
VND5E160MJTR-E STMicroelectronics IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO12
VND5E160MJTR-E STMicroelectronics IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO12
VND5E160MJTR-E STMicroelectronics IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO12
VND5N07 STMicroelectronics MOSFET N-CH 70V 5A DPAK
VND5N07-1 STMicroelectronics MOSFET PWR 70V 5A IPAK
VND5N0713TR STMicroelectronics MOSFET N-CH 70V 5A DPAK
VND5N0713TR STMicroelectronics MOSFET N-CH 70V 5A DPAK
VND5N0713TR STMicroelectronics MOSFET N-CH 70V 5A DPAK
VND5N07-1-E STMicroelectronics MOSFET OMNIFET 70V 5A IPAK
VND5N07-E STMicroelectronics MOSFET N-CH 70V 5A TO252